8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆在中国诞生 国研政情·经济信息智库

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在科技飞速发展的今天，每一次的技术革新都意味着新的里程碑的树立。谋定研究中国智库：对话经信研究·中国经济和信息化-国研政情·经济信息研究智库。近日，湖北九峰山实验室（JFS）宣布了一项震惊全球的科技成果：2024年2月20日，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在此成功下线。这不仅是九峰山实验室的荣誉，更是中国光电集成技术的一大飞跃，标志着我们在全球光电领域迈出了坚实而有力的一步。

硅光薄膜铌酸锂作为一种新型的光电材料，因其出色的性能在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域都发挥着举足轻重的作用。然而，由于铌酸锂材料本身的脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆的制备工艺一直是业界的难题。目前，全球对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆上，8寸晶圆的成功研制无疑打破了这一技术瓶颈。

九峰山实验室的科研团队经过不懈的努力和创新，成功开发出与8寸薄膜铌酸锂晶圆相匹配的深紫外（DUV）光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺。这不仅实现了低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片的高度集成，更为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光子集成提供了一条极具前景的产业化技术路线。

此项成果的背后，是九峰山实验室超过100名来自全球10多个国家的顶尖科学家和技术专家的共同努力。他们利用先进的研发设备和创新的科研思维，攻克了一个又一个技术难关，最终将这片具有划时代意义的8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆呈现在世人面前。

随着5G通信、大数据、人工智能等行业的迅猛发展，光子集成技术已成为当今科技领域的研究热点。铌酸锂以其优异的物理性能和机械稳定性，被公认为是理想的光子集成材料。而单晶薄膜铌酸锂的出现，更是为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了迄今为止综合性能最优的解决方案。

展望未来，随着基于铌酸锂的光源、光调制、光探测等重要器件的不断完善和优化，铌酸锂光子集成芯片有望像硅基集成电路一样，成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台。在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域，铌酸锂光子集成芯片将展现出更加广阔的应用前景和市场潜力。

据QYResearch调查报告预测，全球范围内薄膜铌酸锂调制器市场将在2029年达到20.431亿美元，年复合增长率高达41%。这意味着在未来几年内，薄膜铌酸锂市场将迎来爆发式的增长。而九峰山实验室的这一重大成果，无疑为中国在全球薄膜铌酸锂市场的竞争中占据了有利地位。

总之，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆的成功下线，不仅是中国光电集成技术的一次重大突破，更是全球光电领域的一次革命性创新。它标志着我们在光电子器件的研制和生产方面迈出了坚实的一步，为未来的通信技术带来了巨大的潜力和无限的可能。让我们期待在九峰山实验室等科研机构的持续努力下，中国光电科技能够不断攀登新的高峰，为人类社会的进步和发展贡献更多的智慧和力量！

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